国产替代依旧是驱动半导体发展的最大因素：面临波荡起伏的国际局 势，自主可控已经成为了维护国家战略安全的重要领域，半导体则是 这个领域的最前端。先进制程的半导体则是被遏制的重灾区，主要方 式是通过控制先进制程需要的设备材料，因此，半导体设备材料是我 国未来几年内科技攻关最为强力的突破口，国产化替代的意愿大幅度 提升，测试配合度增加，验证周期有望缩短。晶圆制造代工和封装测 试的国产化设备材料一旦取得技术方面的突破，出货速度有可能会超 出大部分人的预期。目前国产化率相对较高的是后道测试机、清洗机 等，如刻蚀机、离子注入机、薄膜制备等高端产品逐步验证。

■新能源需求驱动，功率半导体产业方兴未艾：在光伏平价上网周期到 来和新能源汽车的快速推广需求驱动下，功率半导体在未来几年内将 保持较高的景气程度。2020 年需求叠加海外疫情的影响，无论是 8 寸 晶圆代工厂还是 MOSFET/功率二极管和晶闸管等器件厂，都出现了产 能利用率高企甚至涨价的现象，考虑到较长的扩产周期和器件的迭代 发展，景气度仍将保持相当长的一段时间。产品创新层面，SiC、GaN 等第三代化合物半导体以及国产 IGBT 行业快速发展，渗透率不断提 升。功率半导体对于先进制程的要求相对较低，更多是需要掌握工艺 上面的 know-how，考虑到我国丰富的工程师资源和政策资本市场支持 力度，有出现产业弯道超车的可能性。